Présente à l’IEEE MTT-S International Microwave Symposium (IMS) de San Francisco du 15 au 20 juin 2025, AMCAD MW a profité de cet événement international majeur pour mettre en lumière ses dernières innovations hardware, conçues pour répondre aux enjeux concrets des ingénieurs RF.

L’équipe a présenté trois démonstrations techniques orientées terrain, autour de la modélisation de transistors RF, des bancs de test et de la caractérisation de composants GaN en haute tension. L’objectif : offrir aux laboratoires et équipes de développement des solutions fiables, précises et directement opérationnelles.

1. Un amplificateur RF dédié aux environnements de test et de mesure

Pensé pour les laboratoires RF, cet amplificateur a été présenté en condition réelle afin de démontrer sa stabilité et ses performances. Il répond aux besoins croissants en test de fiabilité et en caractérisation dynamique, notamment pour les applications télécoms, radar ou défense.

Ce qu’il apporte :

  • Une performance stable et reproductible
  • Une intégration simple dans les bancs existants
  • Une solution clé en main pour les tests en environnement réel

2. Une chaîne complète de modélisation transistor : AM3200 + Focus Tuners + MPI

Cette démonstration a mis en valeur l’écosystème AMCAD pour la modélisation RF : le système AM3200 couplé à des tuners Focus et à une station de sonde MPI. Ensemble, ces outils permettent une caractérisation complète (pulsed IV + S-paramètres), rapide et fiable.

Les bénéfices pour les équipes R&D :

  • Un gain de temps significatif dans la prise de mesures
  • Une précision accrue pour les modèles comportementaux
  • Une solution modulaire et évolutive, adaptée aux flux de développement modernes

3. Caractérisation haute tension de dispositifs GaN avec la sonde AM3242

La troisième démonstration portait sur la caractérisation pulsée de composants GaN haute tension. La solution AM3242 permet de capturer des données fiables et robustes, même dans des environnements exigeants.

Ce que cette solution change :

  • Une sécurité renforcée pour l’opérateur et le composant
  • Une fidélité des mesures, même en régime extrême
  • Une compréhension fine du comportement des dispositifs GaN sous stress

Conclusion

En mettant l’accent sur la robustesse, la rapidité et la précision de ses équipements, AMCAD MW confirme sa position d’acteur de référence dans l’environnement RF. Les solutions présentées à l’IMS sont déjà utilisées dans plusieurs laboratoires en Europe et aux États-Unis, pour accélérer la mise au point de nouveaux composants et optimiser les performances des architectures RF les plus exigeantes.

Pour toute information technique ou demande de démonstration personnalisée, l’équipe Exocis et AMCAD reste disponible.